400-888-1375

KEMET陶瓷堆疊電容L1GN70G473KA10

  • 品  牌:KEMET
  • 型  號(hào):L1GN70G473KA10
  • 技術(shù)資料:
  • 閱讀次數(shù):1134

產(chǎn)品介紹

KEMET 電源解決方案 - 低損耗 (KPS MCL) 高溫 SMPS 陶瓷堆疊電容器將堅(jiān)固且專有的 C0G/NPO 賤金屬電極 (BME) 介電系統(tǒng)與耐用的引線框架技術(shù)相結(jié)合,適用于高溫和高功率 SMPS 應(yīng)用。 這些設(shè)備專為滿足惡劣工業(yè)環(huán)境的需求而設(shè)計(jì),例如井下石油勘探和汽車/航空電子發(fā)動(dòng)機(jī)艙電路。

KPS-MCL 由大型芯片多層陶瓷電容器 (MLCC) 構(gòu)成,垂直堆疊并使用高熔點(diǎn) (HMP) 焊料合金固定到引線框架終端系統(tǒng)。在引線框架中垂直堆疊電容器可實(shí)現(xiàn)更低的 ESR(低損耗)和熱阻,從而轉(zhuǎn)化為非常高的紋波電流能力。引線框架將 MLCC 與印刷電路板 (PCB) 隔離,同時(shí)建立并聯(lián)電路配置。

將電容器與 PCB 機(jī)械隔離可提高機(jī)械和熱應(yīng)力性能,而并聯(lián)電路配置允許在相同或更小的設(shè)計(jì)占位面積中使用大容量電容。

KEMET 的高溫 C0G 電容器具有溫度補(bǔ)償功能,非常適合諧振電路應(yīng)用,或需要 Q 和電容特性穩(wěn)定性的應(yīng)用。它們的電容隨時(shí)間和電壓沒有變化,相對(duì)于環(huán)境溫度,電容的變化可以忽略不計(jì)。從 -55°C 到 +200°C,電容變化限制在 ±30 ppm/ºC。此外,這些電容器在高達(dá) +200°C 的高溫下表現(xiàn)出高絕緣電阻和低損耗因數(shù)。它們還在高頻下表現(xiàn)出低 ESR,并提供比競(jìng)爭(zhēng)性高溫 BME 陶瓷電容器器件更高的容積效率。

性能特點(diǎn)

  • 低損耗
  • 低 ESR 和 ESL
  • 高熱穩(wěn)定性
  • 高紋波電流能力
  • 用于“通孔”安裝的直針引線
  • 形成“J”和“L”引線用于表面安裝
  • 工作溫度范圍為 −55°C 至 +200°C
  • 案例代碼(案例尺寸) – 69 (2220) 和 70 (2225)
  • 直流電壓額定值為 200 – 2,000 V
  • 電容產(chǎn)品范圍為 11 nF – 1.2 µF
  • 工業(yè)級(jí)
  • 占用空間更小的高頻性能和大容量電容

選型指南

產(chǎn)品結(jié)構(gòu)與細(xì)節(jié)

技術(shù)參數(shù)

1.DWV 是電容器在短時(shí)間內(nèi)可以承受的電壓。 它超過了電容器的標(biāo)稱和連續(xù)工作電壓。

2.在以下條件下測(cè)量的電容和損耗因數(shù) (DF):

如果電容 ≤ 1,000 pF,則為 1 MHz ±100 kHz 和 1.0 ±0.2 Vrms。

如果電容 > 1,000 pF,則為 1 kHz ±50 Hz 和 1.0 ±0.2 Vrms。

3.要獲得 IR 限制,請(qǐng)將 MΩ - µF 值除以電容并與 GΩ 限制進(jìn)行比較。選擇兩個(gè)限制中較低的一個(gè)。

注意:測(cè)量電容時(shí),重要的是要確保設(shè)置的電壓電平保持恒定。 HP4284 和 Agilent E4980 具有稱為自動(dòng)電平控制 (ALC) 的功能。ALC 功能應(yīng)該切換到“ON”。

產(chǎn)品尺寸

產(chǎn)品應(yīng)用

  • 工業(yè)的
  • 井下
  • 國防和航空航天
  • 混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車(HEV、BEV)
  • 開關(guān)電源
  • 電源的輸入和輸出濾波,通常出現(xiàn)在“電容器組”上
  • 緩沖電路和直流鏈路
  • 諧振電路

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